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第522章 分辨率10μm（第2页）

这是高振东的设计，一步到位，光刻胶的涂布，他直接上了旋涂法，前世我们最早的光刻机是用什么方法涂布他不知道，但他知道综合性能肯定是旋涂法最好。

旋涂法在单晶硅片这种平坦的简单表面涂布，平坦化能力强，容易控制厚度，涂层密度大，厚度均匀，不是没有缺陷，但是可以接受和处理。

旋转很快达到了预设的转速，在涂料确定的情况下，涂层厚度这些涂布结果参数与转速高度相关，旋转的同时，工件台也在对硅片进行加热，这是为了进一步去除表面重新附着的水汽。

这些小细节，都是高振东从前世带过来的，不起眼，但是很重要。

加热时间满足预设要求之后，旋转也早已稳定，马娟拿起了滴管。

没错，就是化学试验用的那种滴管，一点儿都不高大上，但是对于高振东这个光刻机来说够用了。

滴管天生就有不太精确的计量功能，例如一毫升水大概是15滴，总之就是当液体的粘稠度确定的话，那从滴管滴出来的每滴液体的体积基本上是一致的，换支滴管也是一样，只要是正常的滴管都一样。

多余的光刻胶会被旋转的硅片给甩出去的，这也是旋涂的优点。

马娟往旋转的硅片中心滴了一些光刻胶，光刻胶很快随着旋转，沿着硅片表面匀开来，非常均匀，仿佛不存在一样。

这也是托光刻胶和硅片的粘附性很好的福，否则在上光刻胶之前，还得上一遍衬底，以加强光刻胶的附着。

硅片缓缓停止旋转，此时，工件台再次开始对硅片进行加热，这是在固化光刻胶。

固化完成后，马娟开始按动电钮，调整工件台，将硅片置于光学系统下的合适位置。

虽然高振东要求东北光学所的同志搞的是160mm直径的投影范围，不过考虑到拉晶的成品率，以及光学系统的最大畸变出现在最边缘的原因，现在还是将硅片的规格定在了130mm，也就是大概5英寸的样子，不过这是我们的原生工艺，自然就不会用英寸作为硅晶圆的计量单位。

作为最早最原始的光刻机，高振东使用的却并不是最原始的接触式光刻，这种方式硅片和掩模直接接触，分辨率比接近式要高。

但接触式光刻，硅片上的光刻胶或者个别灰尘，会污染和损坏掩模，用来搞研究可以，搞批产不太好。

他跨过接触式光刻，使用了接近式光刻，实际光刻的时候硅片和掩模之间有一个极小的距离，在10μm这个数量级，这样就可以避免掩模的损坏了。

坏处嘛，接近式光刻的分辨率比接触式的要差，最好的情况，大概在2μm的样子，这对于高振东现在来说是够用的。

使用接近式光刻，掩模和工件是分开的，这对于搞自动化光刻是有利的，这就是高振东将掩模放进光学系统的原因，掩模在光学系统里基本不动，运动的是工件台。

找平之后，工件台控制硅片向掩模接近，最终达到设计中所设定的距离——20μm。

这一次不用太过仔细的对齐，因为是第一次刻，严格对齐是套刻的事情，如果是套刻，还需要对齐套刻标记。

接下来就是曝光、显影，听起来和胶片机摄影差不多，实际上原理也基本上一致。

显影完毕，马娟开始用显微镜检查成像质量，耗时很长，估计她的眼睛都花了，最终她抬起头，面带喜色的向高振东点了点头。

这次的掩模，是工艺测试用标准掩模，看她这个样子，至少分辨率10μm是没问题了。

“高师兄，和我们以前测试的一样，线宽10μm没有问题，很稳定。”

如果成像质量有问题，那就得将硅片取出来，洗去光刻胶，准备从头再来。

这年头，硅片很贵的，不能浪费，哪怕是到了几十年后，硅片没那么贵了，但还得洗，如果问题出在工艺的中后期的光刻道次上，前面的工艺也贵啊！

高振东心中激动，向她点点头，示意继续。

接下来按照正常的集成电路工艺，应该是送到其他工序去，根据光刻目的的不同，进行诸如蚀刻、掺杂、离子注入、金属去除等，但是这是测试光刻机的分辨率和套刻精度，这工序就不用做了，而且也没法做，这儿没那些东西。

比如蚀刻，看起来简单，腐蚀就行，但实际上背后靠着一整条比较特殊的安全管理线，这边也建立一条那玩意，就搞麻烦了，又不是经常要用到。

就更别提掺杂这些需要设备的工序了，更是没法做。

考虑到显影之后，光刻胶就只剩下了需要的那一部分，试验人员的想法，是再上一次光刻胶，看看两次光刻显影结果的重叠程度。

这也算是个笨办法，如果这种情况下，旧光刻工艺的残余物影响到新一次的光刻胶附着，导致试验效果不好的话，再考虑光刻——送1274蚀刻——光刻这个试验流程。

光是线宽10μm，其实光刻机的制程是到不了10μm的，因为决定光刻机制程的，还有其他参数，其中很重要的一个就是套刻精度，也正是今天高振东最终要测试的东西。

凡是做集成电路，哪怕工艺简单如PMOS，都是需要套刻的，因为一次光刻连晶体管都做不出来，更别说形成完整电路了。

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